[发明专利]晶体层叠结构体和发光元件在审
| 申请号： | 201380068787.9 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104885195A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 森岛嘉克;佐藤慎九郎;俊藤健;饭冢和幸;仓又朗人 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种晶体层叠结构体和包含该晶体层叠结构体的发光元件，晶体层叠结构体能实现光输出较高的发光元件，具有Ga2O3基板和氮化物半导体层。在一实施方式中提供一种晶体层叠结构体(1)，其具有：Ga2O3基板(2)；介电体层(3)，其以部分地覆盖Ga2O3基板(2)的上表面的方式形成于Ga2O3基板(2)上，与Ga2O3基板(2)的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层(4)，其隔着介电体层(3)形成于Ga2O3基板(2)上，与介电体层(3)和Ga2O3基板(2)的上表面的没有被介电体层(3)覆盖的部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 层叠 结构 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种晶体层叠结构体，其具有：Ga2O3基板；介电体层，其以部分地覆盖所述Ga2O3基板的上表面的方式形成于所述Ga2O3基板上，与所述Ga2O3基板的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层，其隔着所述介电体层形成于所述Ga2O3基板上，与所述介电体层和所述Ga2O3基板的上表面的没有被所述介电体层覆盖的部分接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
