[发明专利]用于制造纳米光刻掩模的方法有效
| 申请号： | 201380067287.3 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104885013B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | C.纳瓦罗;M.阿尔古德;X.谢瓦利埃;R.蒂罗恩;A.加尔比 | 申请（专利权）人： | 阿克马法国公司;原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;C08L53/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于由沉积在待蚀刻的表面(10)上的PS–b–PMMA嵌段共聚物的膜(20)制造纳米光刻掩模的方法，所述共聚物膜包括垂直于待蚀刻的表面取向的PMMA纳米畴(21)，所述方法的特征在于它包括以下步骤：照射(E1)部分的所述共聚物膜，以在所述共聚物膜中形成第一照射区和第二未照射区，然后在显影溶剂中处理(E2)所述共聚物膜，以选择性地除去所述共聚物膜的所述第一照射区的至少所述PMMA纳米畴。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 纳米 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.用于由沉积在待蚀刻的表面(10)上的PS–b–PMMA嵌段共聚物膜(20)制造纳米光刻掩模的方法，所述共聚物膜包括垂直于待蚀刻的表面取向的PMMA纳米畴(21)，所述方法的特征在于它包括以下步骤：‑部分地照射(E1)所述共聚物膜，以在所述共聚物膜中形成照射区和未照射区，然后‑选择显影溶剂，所述显影溶剂选自具有包括在以下值范围之内的在25℃计算的汉森溶解度参数的溶剂或溶剂混合物：14.5≤δD≤19.00；4.90≤δP≤18.00和5.10≤δH≤15.26，进行这样的选择步骤以‑在预先选择的显影溶剂中处理(E2)所述共聚物膜，以选择性地除去所述嵌段共聚物膜的一个或多个纳米畴，所述纳米畴具有不同的化学组成、为照射的和/或未照射的，选择性地除去包括除去所述共聚物膜的所述照射区的至少所述PMMA纳米畴(21)。
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