[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201380054436.2 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104756257A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 田尾博昭;前田刚彰;三木绫;钉宫敏洋;安秉斗;具素英;金建熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。
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