[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件有效
申请号: | 201380051164.0 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104704645B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 阿恩特·耶格;丹尼尔·斯特芬·塞茨 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 不同的实施例可能涉及一种用于制造光电子器件的方法。所述方法可能具有在衬底中的至少一个预设的位置处的至少一个区域中提高衬底的折射率,使得具有提高的折射率的区域伸展直至衬底表面处;和在衬底的表面上或上方至少部分地在具有提高的折射率的区域上方形成电极层。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造光电子器件的方法,所述方法具有:·在衬底的层中的至少一个预设的位置处的至少一个区域中提高所述衬底的折射率,使得具有提高的折射率的所述区域伸展至所述衬底的表面,并且使得所述层的至少一个区域不具有提高的折射率;以及·在所述衬底的所述表面上或上方至少部分地在具有提高的折射率的区域上方形成电极层,其中通过激光致密化来提高所述衬底的在具有提高的折射率的至少一个区域中的折射率;其中在所述层中的所述不具有提高的折射率的至少一个区域具有相对于所述衬底的未提高的折射率减小的折射率的至少一个区域;和其中所述衬底在所述具有减小的折射率的至少一个区域中被去致密化。
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