[发明专利]基板加工装置和基板加工方法有效
| 申请号： | 201380044496.6 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN104584193B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 韩政勋;金荣勋;黃喆周 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 李琳,许向彤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于加工基板的装置和方法，其能实现在基板上均匀地沉积薄膜，并且便于控制所沉积的薄膜的质量，其中，所述装置包括加工腔室；腔室盖；基板支撑器，用于支撑至少一个基板；源气分配器，用于将源气分配到源气分配区域；反应气分配器，用于将反应气分配到反应气分配区域；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在源气分配区域与反应气分配区域之间形成的吹扫气分配区域，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板加工装置，包括：加工腔室，用于形成加工空间；腔室盖，用于覆盖所述加工腔室的上侧；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中，所述基板支撑器设置在所述加工腔室中；源气分配器，用于将源气分配到在所述基板支撑器上限定的源气分配区域，其中，所述源气分配器设置在所述腔室盖中；反应气分配器，用于将反应气分配到在所述基板支撑器上限定的反应气分配区域，其中，所述反应气分配器设置在所述腔室盖中；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在所述源气分配区域与所述反应气分配区域之间限定的吹扫气分配区域，其中所述吹扫气分配器设置在所述腔室盖中，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离，所述腔室盖包括：盖框架，用于覆盖所述加工腔室的上侧；以及突起部，从与所述吹扫气分配区域相对应的所述盖框架的下表面朝向所述基板突出，其中，所述吹扫气分配器形成在所述突起部中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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