[发明专利]导电结构和制造该导电结构的方法有效

专利信息
申请号: 201380044015.1 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN104584143A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 林振炯;金秀珍;金起焕 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 朱梅;徐琳
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种包括基板、导电层和暗化层的导电结构体,以及制造该导电结构体的方法。所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下,防止导电层造成的反射,通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。因此,所述导电结构体可以用于开发具有更高可见性的显示面板。
搜索关键词: 导电 结构 制造 方法
【主权项】:
一种导电结构体,包括:基板;导电层;以及暗化层,其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2:[等式1][等式2]<mrow><mi>d</mi><mo>=</mo><mfrac><mi>&lambda;</mi><mrow><mn>4</mn><mi>n</mi></mrow></mfrac><mi>N</mi><mrow><mo>(</mo><mi>N</mi><mo>=</mo><mn>1,3,5</mn><mo>,</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>)</mo></mrow></mrow>其中,|R|为降低导电结构体可视性的参数,n为折射率,k为消光系数,R金属为所述导电层的反射率,d为所述暗化层的厚度,以及λ为光波长。
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