[发明专利]导电结构和制造该导电结构的方法有效
申请号: | 201380044015.1 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104584143A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 林振炯;金秀珍;金起焕 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种包括基板、导电层和暗化层的导电结构体,以及制造该导电结构体的方法。所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下,防止导电层造成的反射,通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。因此,所述导电结构体可以用于开发具有更高可见性的显示面板。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种导电结构体,包括:基板;导电层;以及暗化层,其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2:[等式1]
[等式2]![]()
其中,|R|为降低导电结构体可视性的参数,n为折射率,k为消光系数,R金属为所述导电层的反射率,d为所述暗化层的厚度,以及λ为光波长。
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