[发明专利]具有砜结构及胺结构的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物

摘要

本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。

主权项

下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物与选自式(3)表示的有机硅化合物及式(4)表示的有机硅化合物中的至少1种有机硅化合物的组合、它们的水解物、和它们的水解缩合物，式(1‑a)中，R1、R3、及R4中的至少一个基团表示原子数1至10的亚烷基的末端结合有‑Si(X)3基而形成的基团，其余基团表示氢原子、碳原子数1至10的烷基、或碳原子数6至40的芳基，R2表示碳原子数1至10的亚烷基、或碳原子数6至40的亚芳基，但是上述X表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，式(1‑b)中，R6、R7、R9、及R10中的至少一个基团表示原子数1至10的亚烷基的末端结合有‑Si(X)3基而形成的基团，其余基团表示氢原子、碳原子数1至10的烷基、或碳原子数6至40的芳基，R5及R8表示碳原子数1至10的亚烷基、或碳原子数6至40的亚芳基，但是上述X表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，R21aSi(R22)4‑a  式(3)式(3)中，R21是烷基、芳基、芳烷基、卤化烷基、卤化芳基、卤化芳烷基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基、或氰基的有机基团、或它们的组合，并且通过Si‑C键与硅原子结合，R22表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a表示0至3的整数，〔R31cSi(R32)3‑c〕2Yb  式(4)式(4)中，R31表示烷基，R32表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c表示0或1的整数。