[发明专利]LED的集体制造的方法及LED的集体制造的结构有效
| 申请号： | 201380032606.7 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104396033B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 帕斯卡·昆纳德 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L27/15;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤‑减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺寸；‑在所述基本结构(150)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；‑形成n型电接触垫(145)和p型电接触垫(138)；‑将导电材料层(141)沉积在所述基本结构(150)上并且对所述导电材料层(141)进行抛光；以及‑通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。 | ||
| 搜索关键词： | led 集体 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括在第一基板(100)的表面上形成多个基本LED结构(150)，所述多个基本LED结构(150)中的每一个都包括至少一个n型层(132；332)、有源层(133；333)和p型层(134；334)，所述基本LED结构(150；350)在所述第一基板上通过沟槽(160；360)彼此间隔开，所述方法还包括以下步骤：‑减少所述p型层(134)、所述有源层(133)和所述n型层(132)的与所述有源层接触的第一部分(1320)的横向尺寸，所述n型层(132)具有第二部分(1321)，所述第二部分(1321)的横向尺寸大于所述n型层的所述第一部分(1320)的横向尺寸；‑将绝缘材料层(139；339)沉积在至少每一个基本LED结构(150；350)上；‑在所述p型层(134)、所述有源层(133)和所述n型层(132)的所述第一部分(1320)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；‑在暴露的n型层(132)的至少整个所述第二部分(1321)上形成n型电接触垫(145)；‑在横向尺寸减少步骤之前或之后形成p型电接触垫(138)；‑将导电材料层(141)沉积在包括所述基本LED结构(150)的所述第一基板(100)的整个所述表面上并且对所述导电材料层(141)进行抛光，所述抛光被执行直到达到所述绝缘材料层(139)的存在于所述p型电接触垫和所述n型电接触垫(138,145)之间的至少所述部分为止，从而形成包括所述导电材料层(141)的各个单独部分(143)的结构(70)，每一个单独部分(143)与一个或更多个n型电接触垫(145)接触；以及‑通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。
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