[发明专利]基板加工装置及基板加工方法有效
| 申请号： | 201380029010.1 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104380435B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 韩政勋;黃喆周;徐承勋;李相敦 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 许向彤,陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种加工基板的装置和方法，其中，所述装置包括加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中，每个所述气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，在所述电源电极和所述接地电极之间形成等离子体放电空间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板加工装置，包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并且所述基板支撑体朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室的上侧；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中，所述多个气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，在所述电源电极和所述接地电极之间形成等离子体放电空间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠，其中，所述多个气体分配模块中的每一个气体分配模块设置有用于分配第一气体的第一气体分配空间和用于分配第二气体的第二气体分配空间，所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间在空间上彼此分离，其中，所述电源电极和所述接地电极在所述第一气体分配空间中形成，其中，所述基板支撑体与预定的升降装置连接，当通过使用升降装置使得所述基板支撑体向下移动时，所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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