[发明专利]用于有机电子器件的堤岸结构

摘要

本发明涉及多环烯烃聚合物在有机电子器件中作为结构限定材料的用途，例如在这些器件的隔板、绝缘结构或堤岸结构中，且进一步涉及包含该多环烯烃聚合物堤岸结构的有机电子器件，且涉及制备该多环烯烃聚合物堤岸结构和有机电子器件的方法。

主权项

有机电子器件，包括一种或多种堤岸结构，其中所述堤岸结构包含多环烯烃聚合物，其中所述有机电子器件是有机场效应晶体管(OFET)，其包含被隔开以形成沟道区域的源电极和漏电极，并且其中提供所述堤岸结构使它们覆盖于所述源电极和漏电极上且限定延伸于沟道区域上的阱或阱的图案，并且在其中提供有机半导体层，使得堤岸结构接触源电极和漏电极和有机半导体层；其中所述多环烯烃聚合物包含一种或多种不同类型的式I重复单元其中Z选自‑CH2‑、‑CH2‑CH2‑或‑O‑，m是0‑5的整数，R1、R2、R3和R4每个独立地选自H、C1‑C25烃基或C1‑C25卤代烃基。