[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380020512.8 | 申请日： | 2013-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN104246026B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液；以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使所述Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使所述SiC籽晶的(1‑100)面接触所述Si‑C熔液；以及在所述籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、所述SiC单晶的生长速度相对于所述温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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