[发明专利]具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管有效
| 申请号： | 201380020302.9 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104247052B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利安·J·F·戴维;迈克尔·J·格林德曼 | 申请（专利权）人： | 天空公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了包括用于减少导光的低折射率层的发光二极管。该发光二极管包括至少一个n型掺杂层、至少一个p型掺杂层、以及设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间的有源区域。有源区域包括发光材料。发光二极管进一步包括设置在有源区域中或者有源区域周围的至少一个低折射率层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 效果 折射率 材料 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：至少一个n型掺杂层；至少一个p型掺杂层；有源区域，设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间，包含多个量子阱和量子势垒；以及至少一个低折射率层，设置在所述至少一个n型掺杂层与所述有源区域之间，或者设置在所述有源区域与所述至少一个p型掺杂层之间，所述至少一个低折射率层被配置为使得小于10％的从所述有源区域发射的总光通过所述有源区域引导，其中，所述有源区域特征在于发射波长，并且其中，所述低折射率层设置在距所述有源区域的距离小于所述发射波长之处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天空公司，未经天空公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380020302.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 光电装置-201580027680.9
- P.阿塔纳科维奇 - 斯兰纳UV科技有限公司
- 2015-04-06 - 2019-10-01 - H01L33/04
- 本发明公开了一种光电装置，所述光电装置包括半导体结构，所述半导体结构包括p型有源区和n型有源区。所述半导体结构仅由一个或多个超晶格构成，其中每个超晶格由多个单位晶胞构成。每个单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层。
- 提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构-201480072787.0
- 杨艺兴;亚历山大·蒂托夫;杰克·伊沃宁;郑英;钱磊;保罗·H·霍洛韦 - 内诺光学有限公司
- 2014-12-10 - 2019-08-30 - H01L33/04
- 一种用于通过提供玻璃衬底合成量子点发光二极管的方法。在玻璃衬底上形成QD‑LED堆叠层。该QD‑LED堆叠层扩散有活性试剂。用可固化树脂封装该QD‑LED堆叠层。用UV光使该可固化树脂固化。
- 用于声子的电场控制元件-201580017518.9
- M·施彻博尔 - 加利福尼亚大学董事会
- 2015-01-30 - 2019-02-05 - H01L33/04
- 在本文中总体讨论的是用于使用电场控制声子的技术以及被配置成使用电场控制声子的系统和设备。在一个或多个实施方案中，一种设备可以包括：多个电触点；两个量子点，所述两个量子点被嵌入一个半导体中，使得当电偏压被施加到所述电触点时，由该电偏压产生的电场大体上平行于经过所述两个量子点的轴线；以及一个声子波导，该声子波导被耦合至该半导体，该声子波导被配置成通过其输送声子。
- 紫外发光器件-201480020854.4
- 崔孝植;黄晶焕;韩昌锡 - 首尔伟傲世有限公司
- 2014-03-07 - 2018-09-07 - H01L33/04
- 本发明公开了一种紫外发光器件。该发光器件包括：n型接触层，其包括GaN层；p型接触层，其包括AlGaN或AlInGaN层；以及多量子阱结构的有源区，其位于n型接触层与p型接触层之间。另外，多量子阱结构的有源区包括厚度小于2nm的GaN层或InGaN层，以发射峰值波长为340nm至360nm的紫外线。本发明的紫外发光器件能够发射波长在340nm至360nm范围内的紫外光。
- 发光元件-201380030173.1
- 韩永勋;李善浩;宋基荣;崔洛俊 - LG伊诺特有限公司
- 2013-05-29 - 2018-02-16 - H01L33/04
- 根据一个实施例，一种发光元件包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及被插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，并且其中阱层和势垒层交替层压至少一次。有源层包括第一区域，其被布置在相邻的势垒层和阱层之间，并且线性减少能带隙；以及第二区域，其被布置在相邻的阱层和势垒层之间，并且线性增加能带隙。在阱层中，与相同的阱层相邻的至少一个第一区域和第二区域具有相互不同的厚度。
- 制造纳米结构的半导体发光元件的方法-201480010929.0
- 车南求;金东浩;柳建旭 - 三星电子株式会社
- 2014-01-28 - 2018-02-02 - H01L33/04
- 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。
- 发光器件-201380028921.2
- 李定植 - LG伊诺特有限公司
- 2013-04-18 - 2017-10-24 - H01L33/04
- 本发明公开了发光器件、制造所述发光器件的方法、发光器件封装及照明系统。所述发光器件包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的AlxInyGa1‑x‑yN层(0<x≤1且0<y≤1)、在所述AlxInyGa1‑x‑yN层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层。
- 量子点膜-201480005245.1
- 埃里克·W·纳尔逊;卡里萨·L·埃克特;威廉·布雷克·科尔布;泰勒·D·内斯韦克;涂明虎 - 3M创新有限公司;纳诺西斯公司
- 2014-01-16 - 2017-09-22 - H01L33/04
- 本发明涉及一种量子点膜制品，所述量子点膜制品包括第一阻隔膜、第二阻隔膜和量子点层，所述量子点层使所述第一阻隔膜与所述第二阻隔膜分离。所述量子点层包含分散于聚合物材料中的量子点。所述聚合物材料包含甲基丙烯酸酯聚合物、环氧树脂聚合物和光引发剂。
- 一种量子点电子设备及量子点转印方法-201580064194.4
- 金大亨;玄泽焕;崔文基;梁智雄;姜光薰 - SEOUL大学校;基础科学研究院
- 2015-07-22 - 2017-08-01 - H01L33/04
- 本发明提供量子点电子设备以及量子点转印方法。所述量子点电子设备包括第一封装层；第一电极，配置在所述第一封装层上；量子点图案，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述量子点图案上；第二封装层，配置在所述第二电极上。所述量子点图案可通过凹版转印方法来形成。所述量子点转印方法包括在供体基板形成量子点层的步骤；利用印模提取所述量子点层的步骤；利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤；从所述凹版基板分离所述印模的步骤。通过所述量子点转印方法，能够以高转印率来转印超小型的量子点图案。由此，可以实现性能优异且高集成的量子点电子设备以及高分辨率的超薄膜量子点发光装置。
- 发光元件-201380049610.4
- 韩大燮;文用泰;曹阿拉;白光善 - LG伊诺特有限公司
- 2013-09-24 - 2017-07-18 - H01L33/04
- 本发明的实施例包括发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。根据本发明的一个实施例的发光器件，包括第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的氮化镓组的超晶格层(124)；在氮化镓组的超晶格层(124)上的有源层(114)；以及在有源层(114)上的第二导电半导体层(116)，其中氮化镓组的超晶格层(124)具有在第一导电半导体层(112)到有源层(114)的方向上变化的带隙能级。
- 近紫外发光装置-201380017852.5
- 韩昌锡;金华睦;崔孝植;高美苏;李阿兰澈 - 首尔伟傲世有限公司
- 2013-03-29 - 2017-06-16 - H01L33/04
- 在此公开了一种紫外(UV)发光装置。所述发光装置包括n型接触层，包括GaN层；p型接触层，包括GaN层；多量子阱结构的活性区域，设置在n型接触层与p型接触层之间，活性区域被构造为发射波长为365nm至390nm的近紫外光。
- 具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管-201380020302.9
- 奥雷利安·J·F·戴维;迈克尔·J·格林德曼 - 天空公司
- 2013-03-06 - 2017-05-03 - H01L33/04
- 公开了包括用于减少导光的低折射率层的发光二极管。该发光二极管包括至少一个n型掺杂层、至少一个p型掺杂层、以及设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间的有源区域。有源区域包括发光材料。发光二极管进一步包括设置在有源区域中或者有源区域周围的至少一个低折射率层。
- 具有极化控制的发光二极管-201280010124.7
- M·舒尔;R·格斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
- 2012-02-25 - 2017-04-26 - H01L33/04
- 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。
- 发射光的量子点及其合成方法-201480068884.2
- 亚历山大·蒂托夫;钱磊;郑英;杰克·伊沃宁;杨艺兴 - 内诺光学有限公司
- 2014-10-16 - 2016-08-03 - H01L33/04
- 用于在电激励下发射光的量子点具有由第一组成构成的中心和由第二组成构成的表面。所述第二组成不同于第一组成。中间区域在所述中心和表面之间延伸并在所述中心和表面之间具有连续的组成梯度。所述量子点通过经由控制下述参数来控制反应的速率和程度用一锅法合成：(i)反应类型和量，(ii)反应时间，和(iii)反应温度。
- 发光器件-201380052836.X
- 韩大燮;文用泰;白光善;曹阿拉 - LG伊诺特有限公司
- 2013-10-08 - 2015-06-10 - H01L33/04
- 实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。根据实施例的发光器件可以包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层；在氮化镓基超晶格层上的有源层；在有源层上的第二导电氮化镓基层；以及在第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层。第二导电氮化镓基层可以包括在有源层上的具有第一浓度的第二导电GaN层、具有第二浓度的第二导电InxAlyGa(1-x-y)N层(其中，0＜x＜1，0＜y＜1)以及具有第三浓度的第二导电AlzGa(1-z)N层(其中，0＜z＜1)。
- 紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法-201280035692.2
- 赵炳求;闵在植;权世薰 - 芯片科技有限公司
- 2012-07-16 - 2014-04-02 - H01L33/04
- 本发明提供一种紫外线发光二极管用多量子阱，包括：Alx1Ga1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层与所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Alx2Ga1-x2N量子阱部，其在所述Alx1Ga1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层与在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Alx1Ga1-x1N势垒部与所述Alx2Ga1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。
- 具有生长于硅基板上的低缺陷N型层的发光二极管-201280028501.X
- 陈振 - 东芝技术中心有限公司
- 2012-06-09 - 2014-03-12 - H01L33/04
- 种竖直的基于GaN的蓝光LED具有n型GaN层，n型GaN层直接生长于低电阻层(LRL)上，而低电阻层(LRL)生长于硅基板之上。在一个范例中，LRL为具有厚度小于300nm的周期的低方块电阻GaN/AlGaN超晶格。在超晶格上生长n型GaN层减少了n型层内的晶格缺陷密度。在形成LED的外延层之后，将导电载体晶圆接合至所述结构。然后去除硅基板。加入电极，并且切割结构以形成完成的LED装置。在一些范例中，一些或全部LRL保持在完成的LED装置内，使得LRL也起到电流扩展功能。在另一范例中，LRL被完整去除，使得完成的LED装置内没有任何LRL。
- 具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管-201280012183.8
- 陈振;W·芬威克;S·莱斯特 - 东芝技术中心有限公司
- 2012-05-23 - 2013-12-04 - H01L33/04
- 一种横向接触蓝光LED器件包含设置在绝缘衬底之上的PAN结构。衬底可为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长GaN模板层。PAN结构包括n型GaN层、包含铟的发光有源层以及p型GaN层。n型GaN层具有至少500nm的厚度。低电阻层(LRL)设置在衬底与PAN结构之间，使得LRL与n型层的底部接触。在一个范例中，LRL为AlGaN/GaN超晶格结构，其方块电阻小于n型GnA层的方块电阻。LRL利用在n型GaN层底下横向传导电流来减小电流拥挤。LRL通过防止底下GaN模板中的位错纹路向上延伸进入PAN结构，来减小缺陷密度。
- 发光元件-201180063025.0
- 石崎顺也 - 信越半导体股份有限公司
- 2011-12-09 - 2013-09-04 - H01L33/04
- 本发明是一种发光元件，其是使用化合物半导体基板而制造出来的发光元件，所述化合物半导体基板具有p型包覆层、多重有源层部及n型包覆层，其中多重有源层部是由以(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6)所组成的3层以上的有源层和2层以上的障壁层交互积层而成，且障壁层的Al含有率x高于该有源层，并且，所述障壁层中，相较于靠近n型包覆层侧的障壁层，靠近p型包覆层侧的障壁层的能带隙较小，且化合物半导体基板是在多重有源层部与n型包覆层之间或是在n型包覆层中具有超晶格障壁层的基板。由此，本发明提供了一种长寿命、低电阻，且保持高发光效率(特别是内部量子效率)的发光元件。
- 纳米线发光二极管结构及其制造方法-201180030090.3
- 楚尔斯·罗葛兰 - GLO公司
- 2011-06-17 - 2013-05-08 - H01L33/04
- 本发明提供一种纳米线发光二极管LED结构，其包括并排布置于支撑层上的多个装置。每一装置包括第一导电型半导体纳米线核心及进行包封的第二导电型半导体外壳以用于形成pn或pin结，所述pn或pin结在操作中提供用于光产生的作用区。第一电极层在所述多个装置上方延伸且与所述装置的至少一个顶部部分电接触以连接到所述外壳。所述第一电极层至少部分地空气桥接于所述装置之间。
- 深紫外发光二极管-201180037699.3
- R·格斯卡;M·S·沙特洛娃;M·舒尔 - 传感器电子技术股份有限公司
- 2011-06-17 - 2013-04-10 - H01L33/04
- 提供深紫外发光二极管，该发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
- 具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管-201180021530.9
- 廖翊韬;T·D·穆斯塔克斯 - 波士顿大学理事会
- 2011-05-02 - 2013-03-27 - H01L33/04
- 一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进，以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。
- 发光二极管及其制造方法-201180012486.5
- 金光中;韩昌锡;崔承奎;南基范;金南润;金景海;尹柱衡;芮暻熙 - 首尔OPTO仪器股份有限公司
- 2011-01-03 - 2012-11-14 - H01L33/04
- 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的一个实施例的发光二极管包括：硅掺杂的n型接触层；p型接触层；有源区域，设置在n型接触层和p型接触之间；超晶格层，设置在n型接触层和有源区域之间；未掺杂中间层，设置在超晶格层和n型接触层之间；电子增强层，设置在未掺杂中间层和超晶格层之间。仅超晶格层的与有源区域最接近的最后一层用硅特意地掺杂，最后一层的硅掺杂浓度比n型接触层的硅掺杂浓度高。接近有源区域设置的超晶格层的几乎全部的层未用硅特意地掺杂，从而能够减少泄漏电流。超晶格层的最接近有源区域的最后一层用高浓度硅掺杂，从而防止结合特性劣化并改善静电放电特性。
- 发光半导体芯片-201080060204.4
- 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2010-12-27 - 2012-09-19 - H01L33/04
- 提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。
- 硅锗量子阱发光二极管-200980161152.7
- 亚历山大·M·布拉托科夫斯基;维亚切斯拉夫·约瑟波夫 - 惠普发展公司;有限责任合伙企业
- 2009-09-25 - 2012-05-30 - H01L33/04
- 一种硅锗量子阱发光二极管(120)。所述发光二极管(120)包括：p型掺杂部分(410)、量子阱部分(420)和p型掺杂部分(430)。所述量子阱部分(420)设置在所述p型掺杂部分(410)和所述n型掺杂部分(430)之间。所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用被限制在所述载流子限制区内的电子(314)和空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光。所述p型掺杂部分(410)包括硅锗的第一合金，并且所述n型掺杂部分(430)包括硅锗的第二合金。
- 稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管-201080029667.4
- L·钱;Y·郑;J·薛;P·H·霍洛威 - 佛罗里达大学研究基金会公司
- 2010-07-07 - 2012-05-23 - H01L33/04
- 本发明实施方式涉及量子点发光二极管(QD-LEDs)，所述量子点发光二极管中电子注入和传输层包含无机纳米粒(I-NPs)。无机纳米粒的使用使得量子点发光二极管优于那些传统的具有有机基电子注入和传输层的量子点发光二极管，且不需要化学反应来形成无机层。在本发明的一种实施方式中，空穴注入和传输层可以是金属氧化物纳米粒(MO-NPs)，使整个装置对于所有无机系统具有稳定性，且可通过一系列相对廉价的步骤形成量子点发光二极管，所述步骤包括纳米粒悬浮液的沉积和去除悬浮介质。
- 具有改善的单色性的光源-200980142462.4
- 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;托德·A·巴伦;托马斯·J·米勒 - 3M创新有限公司
- 2009-08-18 - 2011-09-21 - H01L33/04
- 本发明公开了发光系统。所述发光系统包括LED，所述LED发射第一波长的光，并且包括下述图案，所述图案增强从所述LED的顶部表面发射光，并且抑制从所述LED的一个或多个侧面发射光。所述发光系统还包括含有II-VI势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所述接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。
- 专利分类
