[发明专利]包括发光器件和波长转换材料的光学腔有效
申请号: | 201380018280.2 | 申请日: | 2013-03-30 |
公开(公告)号: | CN104205375B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | K.瓦姆波拉;H.H.蔡;M.M.布特沃思 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L25/075;G02F1/1335 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张同庆;汪扬 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明的实施例包括附接到衬底的半导体发光二极管。波长转换材料的第一区布置在衬底上。波长转换材料被配置成吸收半导体发光二极管发射的光并且以不同的波长发射光。在第一区中,波长转换材料涂敷衬底的整个表面。衬底被布置成接近光学腔的底表面。波长转换材料的第二区被布置成接近光学腔的顶表面。 | ||
搜索关键词: | 包括 发光 器件 波长 转换 材料 光学 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光结构,包括:附接到衬底的半导体发光二极管;布置在衬底上的波长转换材料的第一区,波长转换材料被配置成吸收半导体发光二极管发射的光并且以不同的波长发射光,在第一区中的波长转换材料覆盖半导体发光二极管周围的衬底的整个表面;具有第二表面的光学腔,该第二表面被布置成接近该衬底,所述光学腔包括反射性表面,所述反射性表面将光远离所述半导体发光二极管进行反射并朝向所述第一区,所述反射性表面从接近所述半导体发光二极管的中心上升,然后朝向波长转换材料的第一区向下倾斜;以及布置成接近光学腔的第一表面的波长转换材料的第二区。
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