[发明专利]模具、抗蚀剂积层体及其制造方法以及凹凸结构体有效
| 申请号： | 201380014072.5 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104170056B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 古池润 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B29C33/38;B29C33/42;B29C59/02;B32B3/26 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国东京都千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 抗蚀剂积层体(30)具备无机基板(21)、设置在无机基板(21)的一侧主面上的第1抗蚀剂层(22)、和设置在第1抗蚀剂层(22)上的表面设置有凹凸结构(23a)的第2抗蚀剂层(23)。凹凸结构(23a)，转印后的残膜的厚度为50nm以下，模具的微细图样的凸部顶部宽度(lcv)与凹部开口宽度(lcc)的比例(lcv/lcc)在规定范围内，模具的微细图样的凹部体积(Vcm)与第2抗蚀剂层(23)的体积(Vr2)的比例(Vr2/Vcm)在规定范围内。无机基板(21)上可以容易地形成具有薄而且均等的残膜的抗蚀剂掩模(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 模具 抗蚀剂积层体 及其 制造 方法 以及 凹凸 结构 | ||
【主权项】：
一种模具，其为表面的一部分或全部表面上具备微细图样的模具，其特征在于，所述微细图样，凸部顶部宽度lcv和凹部开口宽度lcc的比例(lcv/lcc)与所述微细图样的单元面积Scm的区域下存在的开口部面积Sh和所述单元面积Scm的比例(Sh/Scm)满足下述式(5)，同时所述比例(Sh/Scm)满足下述式(2)，所述比例(lcv/lcc)满足下述式(3)，并且所述微细图样的高度H满足下述式(4)，式(5)0.76/(Sh/Scm)-1≤lcv/lcc≤0.93/(Sh/Scm)-1]]>式(2)0.23<(Sh/Scm)≦0.99式(3)0.01≦(lcv/lcc)<1.0式(4)50nm≦H≦1500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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