[实用新型]双极NPN晶体管有效
| 申请号： | 201320815633.9 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN203631559U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李小锋;张佼佼;何金祥;杨锐 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种双极NPN晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；形成于第二层间介质层上的第二互连线；其中，电压调变介质层覆盖于淡基区上，并通过第一互连线实现电性引出。在本实用新型提供的双极NPN晶体管中，通过改变电压调变介质层的感应电荷数量使得淡基区表面的电荷浓度发生改变，从而实现小电流放大倍数可调。 | ||
| 搜索关键词： | 双极 npn 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极NPN晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于所述第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；形成于所述第二层间介质层上的第二互连线；其中，所述电压调变介质层覆盖于所述淡基区上，并通过所述第一互连线实现电性引出。
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