[实用新型]包括具有隧道结构的非易失性存储器单元的电子设备

摘要

本实用新型涉及包括具有隧道结构的非易失性存储器单元的电子设备。提供一种电子设备，包括隧道结构，该隧道结构包括第一电极、第二电极以及部署在电极之间的隧道电介质层。在特定实施例中，该隧道结构可以包括或不包括中度掺杂区，其处于主表面，与轻度掺杂区毗邻并且具有与轻度掺杂区相反传导性类型以及比其更大的掺杂物浓度。在另一个实施例中，电极具有相反的传导性类型。在进一步的实施例中，电极可以从衬底或阱区的一部分形成，并且其它电极可以在衬底或阱区的这样的部分上方形成。

主权项

—种包括具有隧道结构的非易失性存储器单元的电子设备，其特征在于包括： 具有第一电极和第二电极的电容器，其中控制栅端子被耦合到第一电极； 具有第一电极和第二电极的隧道结构，其中擦除端子被耦合到第一电极； 第二电极的至少—部分具有第—传导性类型，并且该隧道结构包括： 与第一电极相邻的中度掺杂区，其中该中度掺杂区具有与第—传导性类型相反的第二传导性类型， 具有第二传导性类型和高于中度掺杂区的掺杂物浓度的掺杂物浓度的第一重度掺杂区；和 具有第—传导性类型和高于中度掺杂区的掺杂物浓度的掺杂物浓度的第二重度掺杂区， 其中从顶部观察，该第一重度掺杂区部署在中度掺杂区和第二重度掺杂区之间； 状态晶体管，包括源极区、漏极区和栅电极，其中用于非易失性存储器单元的浮动栅电极包括栅电极、电容器的第二电极以及隧道结构的第二电极；以及 访问晶体管，包括源极区、漏极区和栅电极，其中该访问晶体管的源极区被耦合到状态晶体管的漏极区。