[实用新型]一种深紫外二极管外延片和芯片有效
| 申请号： | 201320641361.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN203659914U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方妍妍;吴志浩;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种深紫外二极管外延片。所述外延片，从下至上依次包括：衬底，低温AlN成核层，高温AlN本征层，n型AlxGa1-xN层，AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层、p型AluGa1-uN电子阻挡层、p型GaN层。本实用新型还提供一种基于所述外延片制备的芯片。本实用新型提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性的Al材料作为电极材料，不但可以部分消除受主型Al阳离子空位缺陷，还可将大部分紫外光反射回去。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 二极管 外延 芯片 | ||
【主权项】：
一种深紫外二极管外延片，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上的低温AlN成核层，设置在所述低温AlN成核层上的高温AlN本征层，设置在所述高温AlN本征层上的n型AlxGa1‑xN层，设置在所述n型AlxGa1‑xN层上的AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层、设置在所述AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层上的p型AluGa1‑uN电子阻挡层、设置在所述p型AluGa1‑uN电子阻挡层上的p型GaN层。
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