[实用新型]碳化硅外延炉兼容小盘基座有效
| 申请号： | 201320640651.8 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN203513831U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提出碳化硅外延炉兼容小盘基座，实现了在同一个小盘基座上实现碳化硅外延晶片的多尺寸兼容生长。碳化硅外延炉兼容小盘基座，包括圆盘基座和外限位圆环，所述圆盘基座中部凸起形成一个用于外延生长碳化硅外延晶片的圆盘平台；所述外限位圆环套设在所述圆盘平台边沿，并且外限位圆环的上表面高于圆盘平台的上表面，还包括分开独立的内限位圆环，该内限位圆环可放置于所述圆盘平台上；所述内限位圆环的外圆直径等于或略小于所述圆盘平台的直径，所述内限位圆环的内圆直径等于或略大于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的直径，所述内限位圆环的厚度等于或略小于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 兼容 小盘 基座 | ||
【主权项】：
碳化硅外延炉兼容小盘基座，包括圆盘基座和外限位圆环，所述圆盘基座中部凸起形成一个用于外延生长碳化硅外延晶片的圆盘平台；所述外限位圆环套设在所述圆盘平台边沿，并且外限位圆环的上表面高于圆盘平台的上表面，其特征在于：还包括分开独立的内限位圆环，该内限位圆环可放置于所述圆盘平台上；所述内限位圆环的外圆直径等于或略小于所述圆盘平台的直径，所述内限位圆环的内圆直径等于或略大于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的直径，所述内限位圆环的厚度等于或略小于用于外延生长碳化硅外延晶片的碳化硅衬底的厚度。
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