[实用新型]刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201320588163.7 申请日: 2013-09-23
公开(公告)号: CN203481182U 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 张海洋;张城龙 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提出了一种刻蚀设备,包括:反应腔室,设置于反应腔室内部的电子卡盘,设置于反应腔室内顶部的顶盘,设置于顶盘上的径向线槽天线,径向线槽天线与电子卡盘相对并保持预定距离,设置于反应腔室顶部的电感耦合电源,设置于电子卡盘底部的偏置电源;由于添加了电感耦合电源以及偏置电源,在进行SWP技术刻蚀时,还能够转化使用电感耦合等离子体技术进行刻蚀,从而能够根据不同的选择来解决LWR不可控的问题,能够通过对偏置电源的调节来控制器件密集区和器件稀疏区的不同刻蚀程度,并能够减少对晶圆表面的损伤。
搜索关键词: 刻蚀 设备
【主权项】:
一种刻蚀设备,用于对待刻蚀晶圆进行刻蚀,其特征在于,所述刻蚀设备包括: 反应腔室、电子卡盘、顶盘、径向线槽天线、电感耦合电源以及偏置电源;所述电子卡盘设置于所述反应腔室内部,所述顶盘设置于所述反应腔室内顶部,所述径向线槽天线设置于所述顶盘上,所述径向线槽天线与所述电子卡盘相对并保持预定距离,所述电感耦合电源设置于所述反应腔室的顶部,所述偏置电源设置于所述电子卡盘的底部。
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