[实用新型]一种新型硅基低阻电感结构有效
| 申请号： | 201320091018.8 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN203134789U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭洪岩;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型硅基低阻电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（101），硅基本体（101）上设有下凹的线圈槽（102），线圈槽（102）的底部、侧壁和硅基本体（101）的上表面涂覆绝缘层（200），并设置电镀种子层（300），线圈槽（102）内设置金属布线层（400），并在其上涂覆再钝化层（500）和形成再钝化层开口（501），其上设置的金属引线（600）的一端填充再钝化层开口（501），另一端沿再钝化层（500）向电感外围延伸。本实用新型将作为电感线圈的铜质金属布线层埋入硅基本体的内部，降低了制备电感线圈的工艺难度和工艺成本，提升了封装密度，同时通过增大线圈的厚度降低了电感的直流电阻，提升了电感的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 硅基低阻 电感 结构 | ||
【主权项】：
一种新型硅基低阻电感结构，包括硅基本体（101），其特征在于：所述硅基本体（101）上设有下凹的线圈槽（102），所述线圈槽（102）的底部、侧壁和硅基本体（101）的上表面涂覆绝缘层（200），所述线圈槽（102）内部的绝缘层（200）上设置电镀种子层（300），设置电镀种子层（300）的线圈槽（102）内设置金属布线层（400），所述金属布线层（400）上表面和裸露的绝缘层（200）上涂覆再钝化层（500），并在金属布线层（400）的上表面形成再钝化层开口（501），所述再钝化层（500）上设置金属引线（600），所述金属引线（600）的一端填充再钝化层开口（501），另一端沿再钝化层（500）向电感外围延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴长电先进封装有限公司，未经江阴长电先进封装有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320091018.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高频头电路
- 下一篇：用于半导体集成制造生产线中的动态密封模块
