[发明专利]硅单晶片加工新工艺

摘要

硅单晶片加工新工艺，属于硅材料加工工艺，尤其是一种硅单晶片的加工工艺。本发明的硅单晶片加工新工艺，该工艺包括将硅单晶毛坯件进行粗磨，之后进行抛光和镀膜，其特征在于抛光工序包括丸片铣磨、高抛机抛光和低速抛光机抛光工序。采用本发明的抛光工艺，丸片铣磨的时间约为5-6min，在高速抛光机上抛光时间约为1-2h就可完工，采用本工艺加工，速度控制在每分钟1200转以上，至少缩短了原加工周期的50%，大大降低了抛光工序的人力成本，从而提高加工效率，节约生产成本。

主权项

硅单晶片加工新工艺，该工艺包括将硅单晶毛坯件进行粗磨，之后进行抛光和镀膜，其特征在于抛光工序具体包括如下步骤：（1）将粗磨后的硅镜片用丸片进行铣磨，方法是用相同的半径模具表面均匀粘接丸片，由丸片铣磨硅单晶片表面的粗糙度，控制面形；（2）经丸片铣磨的硅单晶片在高速抛光机上进行抛光，模具与硅单晶片接触的一面设置聚氨酯磨片，由聚氨酯去除零件表面的划伤；（3）经高速抛光机抛光的硅单镜片在低速抛光机再进行抛光，对硅单晶片表面的面形进一步修复，形成符合规格要求的硅单晶片。