[发明专利]一种粗化材料表面粗化图形的去除方法无效
| 申请号： | 201310729987.6 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730350A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 翟阳;项艺;艾常涛 | 申请（专利权）人： | 迪源光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 毛广杰 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种粗化材料表面粗化图形的去除方法，具体为在粗化图形的表面形成掩膜；在掩膜的表面形成光刻胶，并利用曝光掉需要去除的粗化图形上方的光刻胶；利用刻蚀工艺，将需要去除的粗化图形及其表面的掩膜刻蚀去除，并去除多余的掩膜和光刻胶，得到去除粗化图形的粗化材料。刻蚀过程中粗化材料与掩膜之间的刻蚀速率选择比为0.9:1～1:0.9。本发明填补了定向去除粗化图形的技术空白，并且可以广泛应用于薄膜沉积、刻蚀后的材料表面形貌处理。可定向去除材料表面粗化图形，解决了粗化表面生长薄膜不平滑的外观问题，同时还解决了粗化表面生长金属粘附力差的技术问题。有效解决了粗化表面难以生长出理想结构薄膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 表面 图形 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种粗化材料表面粗化图形的去除方法，其特征在于，所述粗化材料的表面的粗化图形通过刻蚀方法进行去除。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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