[发明专利]三维两端口位单元有效
| 申请号： | 201310724676.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104464800B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王俐文;陈炎輝 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的一种半导体存储器包括设置在三维集成电路的第一层上的读取端口阵列和设置在三维集成电路的第二层上的位单元阵列。第二层垂直放置于第一层的上方或下方。位单元阵列的至少一个位单元通过从第一层延伸至第二层的通孔连接至读取端口阵列的至少一个读取端口单元。本发明还公开了一种三维两端口位单元。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 端口 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，包括：读取端口阵列，设置在三维集成电路的第一层上；以及位单元阵列，设置在所述三维集成电路的第二层上，其中，所述第二层垂直放置于所述第一层的上方或者下方，以及其中，所述位单元阵列的每个位单元通过从所述第一层延伸至所述第二层的通孔连接至所述读取端口阵列的一个相应的读取端口单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310724676.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
