[发明专利]应变层的生长方法以及带有应变层的衬底在审
| 申请号： | 201310720632.0 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103915317A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 魏星;母志强;薛忠营;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空；将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条包括一具有不同热膨胀系数的双层膜；改变所述桥接条的温度至第二温度，使所述桥接条内部的双层膜发生翘曲，从而在悬空的顶层半导体层中引入应变。本发明的优点在于，利用具有不同热膨胀系数的双层膜会在温度变化下发生翘曲的特性，在顶层半导体层中引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 生长 方法 以及 带有 衬底 | ||
【主权项】：
一种应变层的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空；将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条的一端与顶层半导体层悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在腐蚀窗口中的相对侧表面连接，所述桥接条包括一具有不同热膨胀系数的双层膜；改变所述桥接条的温度至第二温度，使所述桥接条内部的双层膜发生翘曲，从而在悬空的顶层半导体层中引入应变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
