[发明专利]一种扩散后低方阻硅片返工的方法

摘要

本发明公开了一种扩散后低方阻硅片返工的方法，该方法包括：将待返工硅片置于扩散炉中；向所述扩散炉中通入保护气体；在650℃～740℃的温度下，对所述待返工硅片进行保温；对所述待返工硅片进行出炉操作。采用本发明提供的返工方法，可以在不重新进行制绒的情况下，对方阻低于正常值的不合格硅片进行返工，使其方阻值提升至正常水平。本发明的方法节省了步骤，工艺简单易操作，可显著提高低方阻硅片的返工效率，并显著提高后续制造的太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种扩散后低方阻硅片返工的方法，其特征在于，包括如下步骤：a）将待返工硅片置于扩散炉中；b）向所述扩散炉中通入保护气体；c）在650℃～740℃的温度下，对所述待返工硅片进行保温；d）对所述待返工硅片进行出炉操作。