[发明专利]一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法无效
| 申请号： | 201310713492.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103700736A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 梁萌;杨华;刘志强;郭恩卿;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 选区 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括如下步骤：步骤1：在第一基板上生长氮化镓基外延膜，所述氮化镓基外延膜包含n型氮化物、有源层、p型氮化物；步骤2：制作隔离槽把氮化镓基外延膜分离成多个氮化镓基单元器件；步骤3：通过金属中间层将待剥离的氮化镓基单元器件与第二基板相结合，不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；步骤4：通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。
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