[发明专利]低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的结构及制造方法有效
| 申请号： | 201310689304.9 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104716141B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;石晶;段文婷;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的制造方法，步骤包括：1）形成浅隔离槽，进行P阱注入；2）涂布第一N型埋源漏的光阻，光阻之间的距离小于目标尺寸，曝光，进行砷离子或磷离子注入，形成第一N型埋源漏；3）去除部分光阻，使光阻之间的距离等于目标尺寸；4）进行砷离子注入，形成与第一N型埋源漏相连的第二N型埋源漏；5）形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙。本发明还公开了用上述方法制作的光罩式只读存储器的结构。本发明采用两次注入的方法，形成特殊T形结构的N型埋源漏，在保持源漏宽度不变、有效沟道长度不受影响的情况下，增加了源漏的深度，从而降低了光罩式只读存储器的源漏电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 型埋源 漏电 光罩式 只读存储器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：1)用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；2)涂布第一N型埋源漏的光阻，并使光阻之间的距离小于目标尺寸，曝光，进行砷离子或磷离子注入，形成第一N型埋源漏；注入剂量为3.3E14～5.7E15个/cm2；3)去除部分光阻，使光阻之间的距离等于目标尺寸；4)进行砷离子注入，形成与第一N型埋源漏相连的第二N型埋源漏；注入剂量为4.3E14～6.7E15个/cm2；5)用现有工艺形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙，完成光罩式只读存储器的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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