[发明专利]单晶炉的加料方法有效
| 申请号： | 201310681632.4 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103643286A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 乔松 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶炉的加料方法，包括：在熔硅的液面的局部生成结晶层；向结晶层上投放硅料。本发明通过在单晶炉中的熔硅的液面的局部生成结晶层，并将硅料投放在该结晶层上，可以有效地解决现有技术中的往单晶炉中投料时容易出现溅料的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 加料 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶炉的加料方法，其特征在于，包括：在熔硅的液面的局部生成结晶层；向所述结晶层上投放硅料。
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