[发明专利]LED芯片制备方法及LED芯片在审
| 申请号： | 201310669763.0 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681995A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郑远志;盛成功;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片。本发明提供的LED芯片制备方法，包括：在衬底上依次生长N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；去除部分P型氮化镓层和部分发光层，露出部分N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层和所述露出的N型氮化镓层的表面同时形成扩展电极层。本发明提供的方法解决现有技术在制备LED芯片的过程中，光刻工艺层次较多而导致生成工艺复杂的问题，提高了LED芯片的生产良率，并且降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生长N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；去除部分P型氮化镓层和部分发光层，露出部分N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层和所述露出的N型氮化镓层的表面同时形成扩展电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310669763.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管灯源装置
- 下一篇：一种LED标准方片及其制作方法
