[发明专利]一种IGBT模块结构无效
| 申请号： | 201310648950.0 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103633035A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 种IGBT模块结构，包括AlSiC基板，位于该AlSiC基板上的敷铜层，位于该敷铜层上的AlN绝缘陶瓷层，位于该AlN绝缘陶瓷层上的金属焊垫，以及位于该金属焊垫上的芯片，所述AlN绝缘陶瓷层和AlSiC基板之间设有空腔，所述空腔位于芯片的下方。通过在芯片下方设置一个空腔，从而降低电场极大值处电场强度，减小局部放电视在电荷，避免局部放电的发生，提高模块的放电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块结构，包括AlSiC基板，位于该AlSiC基板上的敷铜层，位于该敷铜层上的AlN绝缘陶瓷层，位于该AlN绝缘陶瓷层上的金属焊垫，以及位于该金属焊垫上的芯片，其特征在于：所述AlN绝缘陶瓷层和AlSiC基板之间设有空腔，所述空腔位于芯片的下方。
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