[发明专利]用于高真空条件下的碳化硅吸波组件有效
| 申请号： | 201310642611.1 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103762428A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王浩;李艳臣;季琨;陈丽;彭光东 | 申请（专利权）人： | 上海卫星装备研究所 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，包括结构化基底，所述结构化基底设有吸波劈尖。本发明为无机非金属材料，通过模具成型，再经过高温烧结，具有很低的挥发性，能够满足真空使用要求，同时具有良好的导热性。通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例，优化设计方锥的高度和角度，使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。通过优化结构设计，调整氧化铝颗粒和石墨比例，具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能，可以进行精确的外热流模拟，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 条件下 碳化硅 组件 | ||
【主权项】：
一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，其特征在于，包括结构化基底和吸波劈尖，所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。
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