[发明专利]一种低温去除硅中硼磷的方法无效
| 申请号： | 201310637020.5 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103693647A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李京伟;陈健;张涛涛;白枭龙;李彦磊;班伯源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明是一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域。该方法利用硅在镓基合金液中的重结晶净化硅中的硼磷杂质。该方法将工业硅与镓基合金加热完全共熔，冷却使硅重结晶析出，酸洗将重结晶硅分离，可得硼磷浓度低的高纯硅。该方法的重结晶温度为100-1400℃，硅损失量小于5%。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600-1900℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 去除 硅中硼磷 方法 | ||
【主权项】：
一种低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将工业硅粉与镓基合金混合加热，直至完全熔化为液体，将液相混合物冷却，使硅重结晶析出，得到硅合金，其中硅粉与镓基合金的重量比为1：0.1‑1：100，加热熔化温度为100‑1400℃，重结晶的冷却速率为0.01‑100℃/min； （2）将步骤（1）得到的硅合金固液分离得到重结晶硅颗粒； （3）将步骤（2）得到的重结晶硅颗粒，用酸酸洗，其中酸浓度为0.1‑100wt%，硅与酸的重量比为1:0.1‑1:200，酸洗温度为10‑100℃，酸洗时间为0.5‑100h；用去离子水漂洗、烘干，得到硼、磷杂质低的纯硅。
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