[发明专利]一种FS-IGBT器件阳极的制造方法有效
| 申请号： | 201310585511.X | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103578959A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;肖琨;王珣阳;杨骋;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fs igbt 器件 阳极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FS‑IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在硅片（1）背面注入N型杂质高温推结，形成具有浓度梯度的掺杂层，其中表面较高掺杂浓度的为表面牺牲层（3），位于表面牺牲层（3）和硅片（1）之间较低掺杂浓度的为场阻止层（2）；b.翻转硅片（1）完成正面制作工序；c.去掉硅片（1）背面的表面牺牲层（3）；d.清洗硅片（1）背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区（10）；e.完成背面金属（11）积淀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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