[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310583381.6 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103594626A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 桂海洋;李明;王肖;王军;魏斌 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管，主要由基板、栅电极、栅绝缘层、源漏电极及有机半导体层组成，有机半导体层作为有源层，在源漏电极和有机半导体层之间还设有电极修饰层，电极修饰层通过在源漏电极上固定DNA分子材料自组装而形成。本发明公开了一种有机薄膜晶体管。本发明在电极表面固定DNA分子材料，在电极的表面自发形成高度有序的DNA单分子膜，从而提高了底接触OTFT的电荷注入，有效提高有机薄膜晶体管的输出电流和减小有机薄膜晶体管的阈值电压，提高器件的迁移率和开关比，降低器件的夹断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管，主要由基板（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、源漏电极（4）及有机半导体层（6）组成，所述有机半导体层（6）作为有源层，其特征在于：在所述源漏电极（4）和所述有机半导体层（6）之间还设有电极修饰层（5），所述电极修饰层（5）通过在所述源漏电极（4）上固定DNA分子材料自组装而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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