[发明专利]半导体晶粒及其制备方法和检测该半导体晶粒裂缝的方法在审
| 申请号： | 201310582255.9 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104282590A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 安东尼大卫维翠斯 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;董云海 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体晶粒裂缝的方法，包含下列步骤：提供半导体晶粒，且该半导体晶粒具有外缘，其中沿着外缘在半导体晶粒上形成导电特征部；加偏压于导电特征部；以及测量半导体结构的漏电流以检测半导体晶粒裂缝的扩散。本发明还提供一种半导体晶粒及其制备方法，该半导体晶粒具有用以检测晶粒裂缝的布局。该半导体晶粒包含具有外缘的晶粒；以及导电特征部，其沿着外缘位于晶粒上，其中外部引脚加偏压于导电特征部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 及其 制备 方法 检测 裂缝 | ||
【主权项】：
一种检测半导体晶粒裂缝的方法，其特征在于，包含：提供半导体晶粒，且该半导体晶粒具有外缘，其中沿着该外缘在该半导体晶粒上形成导电特征部；加偏压于上述导电特征部；以及测量上述半导体晶粒的漏电流以检测该半导体晶粒裂缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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