[发明专利]一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法无效
| 申请号： | 201310578415.2 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103646871A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 任东 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L51/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘春生;于宝庆 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，包括如下步骤：a)使用氢氟酸清洗所述非晶硅；b)使用水清洗所述非晶硅；c)去除所述非晶硅表面的水膜；d)使用氧化性溶液清洗所述非晶硅；e)对所述硅片进行干燥处理；本发明所提供的提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，通过在水洗置换氢氟酸之后引入水膜去除步骤，使氧化性溶液能够及时、均匀地接触非晶硅进行氧化处理，在非晶硅表面生成均匀的氧化层，从而在ELA结晶时可以很好的缓冲能量，制备出均匀的高品质的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 非晶硅 表面 氧化 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，包括如下步骤：a).使用氢氟酸清洗所述非晶硅；b).使用水清洗所述非晶硅；c).去除所述非晶硅表面的水膜；d).使用氧化性溶液清洗所述非晶硅；e).对所述非晶硅进行干燥处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
