[发明专利]存储器装置及降低读取操作下位线上耦合噪声的方法有效
| 申请号： | 201310574886.6 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051008A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪硕男;洪继宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及在存储器装置中降低读取操作下位线上耦合噪声的方法。存储器装置包括由耦接至位线上的多个存储单元所组成的区块。本方法包括对位线预充电位到一第一电位VPRE。本方法包括电流可以透过位线上的选定存储单元导通至一个或多个耦接于一参考电压的参考线。本方法包括防止因为位线上的导通电流造成的电压改变使位线上的电压值超过介于一第一电压电平与一第二电压电平之间的范围，其中该第二电压电平低于该第一电压电平但高于参考电压。本方法包括读取选定存储单元内的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 降低 读取 操作 下位 线上 耦合 噪声 方法 | ||
【主权项】：
一种用于读取存储器装置感测数据的方法，该存储器装置包括一具有耦接于多条位线的多个存储单元的区块，该方法包括：预充该多条位线至一第一电压电平VPRE；令电流流经该多条位线上选定的存储单元至耦接于一参考电压的至少一参考线；防止该位线上的一电压超过介于该第一电压电平VPRE与一第二电压电平VKEEP之间的范围，其中该第二电压电平低于该第一电压电平但高于该参考电压；以及感测选定存储单元中的数据。
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