[发明专利]电连接晶圆的方法和用该方法制造的半导体设备有效

专利信息
申请号: 201310573253.3 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN103824867A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 全寅均 申请(专利权)人: (株)赛丽康
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/60
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;王艳春
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及用于电连接晶圆的方法,该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆,并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合,并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此,由于可以简化制造工艺,故可以减少工艺错误,并且可以改善产品产量。
搜索关键词: 连接 方法 制造 半导体设备
【主权项】:
用于电连接晶圆的方法,所述方法使用对接接触孔结构将受到一系列工艺的第一晶圆和第二晶圆电连接,所述方法包括:通过绝缘体至绝缘体接合方法物理地接合所述第一晶圆和第二晶圆;以及通过金属至金属接合方法将所述第一晶圆的第一导电区域电连接至所述第二晶圆的与所述第一导电区域相对应的第二导电区域,其中金属至金属接合方法使用了硅穿孔或对接接触孔。
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