[发明专利]电连接晶圆的方法和用该方法制造的半导体设备有效
申请号: | 201310573253.3 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103824867A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 全寅均 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/60 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于电连接晶圆的方法,该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆,并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合,并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此,由于可以简化制造工艺,故可以减少工艺错误,并且可以改善产品产量。 | ||
搜索关键词: | 连接 方法 制造 半导体设备 | ||
【主权项】:
用于电连接晶圆的方法,所述方法使用对接接触孔结构将受到一系列工艺的第一晶圆和第二晶圆电连接,所述方法包括:通过绝缘体至绝缘体接合方法物理地接合所述第一晶圆和第二晶圆;以及通过金属至金属接合方法将所述第一晶圆的第一导电区域电连接至所述第二晶圆的与所述第一导电区域相对应的第二导电区域,其中金属至金属接合方法使用了硅穿孔或对接接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的