[发明专利]不均质的功率半导体器件有效
| 申请号： | 201310569054.5 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103824773B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | T.洪 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及不均质的功率半导体器件。一种功率半导体器件通过以下方式制造：在半导体管芯上形成包括多个晶体管单元的功率晶体管；以及故意地将不均质性引入到功率晶体管中使得在操作期间具有减少的局部电流密度的晶体管单元中的电流细丝的数量增加并且在功率晶体管中发生更少的瞬态雪崩振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体器件 功率晶体管 晶体管单元 半导体管芯 不均质性 操作期间 电流细丝 振荡 瞬态 雪崩 引入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造功率半导体器件的方法，包括：在半导体管芯上形成包括多个晶体管单元的功率晶体管；以及形成浮置区用于所述多个晶体管单元之间的单元隔离，单元间距能够通过调整所述浮置区的尺寸来改变；故意地将不均质性引入到功率晶体管中,使得在操作期间具有减少的局部电流密度的晶体管单元中的电流细丝的数量增加并且在功率晶体管中发生更少的瞬态雪崩振荡，其中所述故意地引入不均质性包括：通过在功率晶体管中使用不同的条纹槽栅极氧化物结构来有意地引入横向不均质性，并且其中将槽底变形为具有波浪或阶梯以减少电流细丝并且抑制瞬态雪崩振荡效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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