[发明专利]一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法无效
| 申请号： | 201310548867.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103606525A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;栾冬;陈刚 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学(威海) |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C23C22/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264209*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法，将铜箔片待连接表面用质量浓度为5％-30％的酸溶液进行清洗3-5分钟；而后加入质量浓度为10％-30％的稀土盐溶液，搅拌6-9分钟；再加入质量浓度为5％20％的双氧水溶液，静置4-6分钟；取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50-200℃温度范围内与金丝连接。本发明处理工艺简单，设备要求低，过程高效可控，铜箔表面稀土膜均匀，覆盖良好，有效防止了铜箔连接过程中表面氧化，提高了连接成品率和连接件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金丝 铜箔 连接 质量 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法，其特征在于：将铜箔片待连接表面用质量浓度为5％‑30％的酸溶液进行清洗3‑5分钟；而后加入质量浓度为10％‑30％的稀土盐溶液，搅拌6‑9分钟；再加入质量浓度为5％‑20％的双氧水溶液，静置4‑6分钟；取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50‑200℃温度范围内与金丝连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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