[发明专利]用于中间隙半导体设备的金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310547473.9 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811326B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金勳;崔起植 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于中间隙半导体设备的金属栅极结构及其制造方法，一种基于PFET的半导体栅极结构，其提供用于控制定限电压的中间隙功函数(在NFET与PFET的功函数之间)，建立该中间隙功函数是藉由包含退火相对厚TiN层以支配以及使整体功函数向下移离开PFET的功函数。该结构有覆盖高介电常数电介质的PFET基底、一层退火TiN、一层未退火TiN、在该未退火TiN上面的薄阻障层以及在该薄阻障层上面的n型金属。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间隙 半导体设备 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造中间隙半导体设备的方法，该方法包含：提供p型半导体设备；仅于该p型半导体设备上方沉积第一功函数层，其中，该第一功函数层包含过渡金属氮化物；退火该第一功函数层以建立退火第一功函数层；沉积第二功函数层于该退火第一功函数层上方，其中，该第二功函数层包含过渡金属氮化物；以及沉积n型金属于该第二功函数层上方，其中，该p型半导体设备、该退火第一功函数层、该第二功函数层及该n型金属一起形成中间隙半导体设备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310547473.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
