[发明专利]有机半导体材料及薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201310533763.8 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103627147A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 许千树;吴忠宪;郑竣丰;王建隆;刘景洋;刘耀闵 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;C08G61/12;C07D417/14;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 种有机半导体材料，其包括如式(1)所示之化学式：式(1)，其中r及s分别独立地为1至20的正整数，n为2至10000的正整数，X1、X2及X3分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR，Y1及Y2分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，以及Z1、Z2、Z3及Z4分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，其中R表示烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 半导体材料 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体材料，其包括如式(1)所示之化学式：![]()
式(1)，其中r及s分别独立地为1至20的正整数，n为2至10000的正整数，X1、X2及X3分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR，Y1及Y2分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，以及Z1、Z2、Z3及Z4分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR，其中R表示烷基。
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