[发明专利]P型掺杂薄膜的制备方法及有机电致发光器件的制备方法无效
申请号: | 201310530674.8 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN104600215A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;钟铁涛;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/24 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种P型掺杂薄膜的制备方法及一种有机电致发光器件的制备方法。该P型掺杂薄膜的制备方法包括提供衬底及采用真空蒸镀共蒸两个空穴传输主体材料蒸发源和一个P型掺杂剂蒸发源,在所述衬底上形成P型掺杂薄膜的步骤。该P型掺杂薄膜的制备方法采用三源共蒸制备种P型掺杂薄膜,由于采用两个空穴传输主体材料蒸发源,空穴传输主体材料的蒸发速度可以降低至使用一个蒸发源时的1/2,使得单个空穴传输主体材料蒸发源的所需的蒸发热量较少,有利于避免空穴传输主体材料的降解,因而能够较为精确地控制P型掺杂薄膜中的P型掺杂剂的掺杂比例。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 薄膜 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
【主权项】:
一种P型掺杂薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;及采用真空蒸镀共蒸两个空穴传输主体材料蒸发源和一个P型掺杂剂蒸发源,在所述衬底上形成P型掺杂薄膜;其中,所述空穴传输主体材料蒸发源的空穴传输主体材料为N,N'‑二苯基‑N,N'‑二(1‑萘基)‑1,1'‑联苯‑4,4'‑二胺、4,4',4''‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺、N,N'‑二苯基‑N,N'‑二(3‑甲基苯基)‑1,1'‑联苯‑4,4'‑二胺或N,N,N',N’‑四甲氧基苯基)‑对二氨基联苯;所述P型掺杂剂蒸发源的P型掺杂剂为2,3,5,6‑四氟‑7,7’,8,8’‑四氰醌‑二甲烷、1,3,4,5,7,8‑六氟‑四氰‑二甲对萘醌或2,2'‑(2,5‑二氰基‑3,6‑二氟环己烷‑2,5‑二烯‑1,4‑二亚基)二丙二腈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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