[发明专利]一种集成电路芯片电极的修复方法有效
| 申请号： | 201310513631.9 | 申请日： | 2013-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103617945A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路芯片电极的修复方法，依次包括步骤：（1）去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护层；（2）采用光刻工艺重新将除了电极以外的区域涂上光刻胶；（3）将集成电路芯片置于等离子体干法刻蚀机的刻蚀腔内，对集成电路芯片表面的金属电极进行部分刻蚀；（4）将集成电路芯片取出后投入到酸性溶液中进行电极剩余部分的刻蚀，刻蚀干净后，采用去离子水冲洗集成电路芯片表面残余的酸性溶液，接着进行干燥处理；（5）将集成电路芯片置入金属蒸镀腔中，在集成电路芯片表面蒸镀预定厚度的金属材料层（6）去除集成电路芯片表面的光刻胶，形成完好的金属电极，完成集成电路芯片电极的修复。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 芯片 电极 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片电极的修复方法，依次包括如下步骤：（1）去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护层；（2）去除保护层后，采用光刻工艺重新将除了电极以外的区域涂上光刻胶；（3）将集成电路芯片置于等离子体干法刻蚀机的刻蚀腔内，采用等离子体干法刻蚀对集成电路芯片表面的金属电极进行部分刻蚀；（4）在步骤（3）之后，将集成电路芯片取出后投入到酸性溶液中进行电极剩余部分的刻蚀，直至将集成电路芯片表面的金属电极完全刻蚀干净后，采用去离子水冲洗集成电路芯片表面残余的酸性溶液后，进行干燥处理；（5）待干燥处理完毕后，将集成电路芯片置入金属蒸镀腔中，在集成电路芯片表面蒸镀预定厚度的金属材料层（6）去除集成电路芯片表面的光刻胶，形成完好的金属电极，完成集成电路芯片电极的修复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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