[发明专利]减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法无效
| 申请号： | 201310505326.5 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681456A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李杰;王智;苏俊铭;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及薄膜退火的方法，具体地说是一种减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法，其中，于湿氧化过程中通入N2或者惰性气体。本发明具有如下优点或者有益效果：采用本发明的方法，既可以满足消除高纵深沟槽填充薄膜中的空隙，同时也可以降低湿氧化过程中的氧化速度，使得湿氧化过程中有源区的硅消耗减少，从而减少有源区关键尺寸的损耗，提升半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 纵深 沟槽 填充 薄膜 退火 关键 尺寸 损耗 方法 | ||
【主权项】：
一种减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法，其特征在于，于湿氧化过程中通入N2或者惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
