[发明专利]NPN晶体管无效
| 申请号： | 201310504578.6 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103606552A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NPN晶体管，包括N型衬底、作为基极区域使用的P型外延层、P型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的P型扩散层、作为发射极区域使用的N型扩散层、作为集电极区域使用的N型扩散层；基极区域形成于衬底上；P型埋入扩散层跨衬底和基极区域上而形成；基极引出区域形成于基极区域上；发射极区域形成于基极区域上；集电极区域形成在基极区域上；在所述作为基极区域使用的P型外延层中扩散有钨。该晶体管利用钨的高能级使从发射极注入的空穴和存在于基极区域的许多载流子即电子再结合，从而能够提高横型NPN晶体管的电流放大率，同时能够降低污染。 | ||
| 搜索关键词： | npn 晶体管 | ||
【主权项】：
一种NPN晶体管，包括N型衬底、作为基极区域使用的P型外延层、P型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的P型扩散层、作为发射极区域使用的N型扩散层、作为集电极区域使用的N型扩散层；其特征在于，基极区域形成于衬底上；P型埋入扩散层跨衬底和基极区域上而形成；基极引出区域形成于基极区域上；发射极区域形成于基极区域上；集电极区域形成在基极区域上；在所述作为基极区域使用的P型外延层中扩散有钨。
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