[发明专利]一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310496560.6 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103540903A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金平实;曹逊;周怀娟;姜萌;罗宏杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料是以金属钒、金属M、和金属N为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行磁控溅射而在衬底上形成的V2-x-yMxNyO3薄膜，其中x为0.2以下且大于零，y为0.2以下且大于零，其中掺杂元素M为W、Mo、Mg、Sb、Nb、和/或Al，掺杂元素N为Ti、Cr、和/或Zn，所述薄膜材料在80K～225K之间具有无热滞的电阻-温度回线。本发明的薄膜材料基于低成本的三氧化二钒基薄膜材料，通过调控元素掺杂含量，在基本不改变薄膜热色性能的前提下，达到消除V2O3薄膜热滞回线的目的，可望应用于低温温度计或低温空间红外探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 电阻 温度 系数 无热滞 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料是以金属钒、金属M、和金属N为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行磁控溅射而在衬底上形成的V2‑x‑yMxNyO3薄膜，其中x为0.2以下且大于零，y为0.2以下且大于零，其中掺杂元素M为W、Mo、Mg、Sb、Nb、和/或Al，掺杂元素N为Ti、Cr、和/或Zn，所述薄膜材料在80K～225K之间具有无热滞的电阻‑温度回线。
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