[发明专利]一种平台型发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201310495998.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594581A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）采用刻蚀工艺，将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，直至完全露出第二底透明导电层的上表面为止；（4）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；（5）在第二底透明导电层露出的上表面上以及在第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平台 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）采用刻蚀工艺，将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，直至完全露出第二底透明导电层的上表面为止；（4）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；（5）在第二底透明导电层露出的上表面上以及在第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极。
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