[发明专利]制作晶体管的方法在审
| 申请号： | 201310495532.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103779281A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 崔尹升;沙申科·苏雷夏钱德拉·埃克博特 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种制作晶体管的方法(图3A到3F)。所述方法包括在衬底(300)的面处形成电介质层(306)以及在所述电介质层上形成栅极(312)。在所述衬底中在所述栅极附近植入(316)源极和漏极区(310)。在所述栅极中植入(318)非晶区以形成非晶区。在所述栅极附近形成应力产生层(332)。对所述栅极进行退火以使所述非晶区再结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作晶体管的方法，其包括：在衬底的面处形成电介质层；在所述电介质层上形成栅极；在所述衬底中在所述栅极附近植入源极和漏极区；以所述栅极的上60％中的平均植入深度对所述栅极进行植入，以形成非晶区；在所述栅极附近形成应力产生层；以及对所述栅极退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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