[发明专利]基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法有效
申请号: | 201310492016.4 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103560133A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 袁晓君;徐艳平;廖鹏 | 申请(专利权)人: | 绵阳芯联芯通信科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822;H01L21/70 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人: | 罗韬 |
地址: | 621000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法,属一种用于光纤通讯的元件,包括芯片衬底,芯片衬底的材质为硅基材料;芯片衬底的上方涂覆有下缓冲层,下缓冲层的上方还涂覆有上缓冲层,所述下缓冲层与上缓冲层之间还设有芯层;所述芯层由下缓冲层与上缓冲层完全包覆;芯层上设有呈图案状的引导光路。通过采用硅基材料替代石英作为芯片衬底,由于硅基的硬度比石英要高,且价格便宜,因此可有效降低光波导分路器芯片的生产成本,而增设的上下缓冲层可保证芯片薄膜厚度以及折射率均匀性,且增加芯片薄膜的致密性和粘附性,通过将芯层的折射率控制在一个较高的范围内,可以大大减少光无源集成电路的尺寸,提高单片晶圆的器件产率。 | ||
搜索关键词: | 基于 无源 集成 器件 设计 平台 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于硅基的光无源集成器件设计平台,包括芯片衬底(1),其特征在于:所述芯片衬底(1)的材质为硅基材料;所述芯片衬底(1)的上方涂覆有下缓冲层(3),所述下缓冲层(3)的上方还涂覆有上缓冲层(2),所述下缓冲层(3)与上缓冲层(2)之间还设有芯层(4);所述芯层(4)由下缓冲层(3)与上缓冲层(2)完全包覆;所述芯层(4)上设有呈图案状的引导光路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的